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三星高调宣布2025年投入2nm量产

作者:时间:2021-10-07来源:FX168财经网收藏

韩国在举行晶圆代工论坛期间高调宣布,2025年投入2奈米量产,再度确认将导入新一代环绕闸极技术(GAA)电晶体架构,抢在台积电前宣布2025年投入2奈米制程的芯片量产,剑指台积电的意图明显,晶圆代工全球版图恐将迎来新变局。

本文引用地址:http://www.reaganmsova.com/article/202110/428651.htm

此次论坛以Adding One More Dimension为主题,会中提到过去曾在2020上半年宣布该公司要在GAA的基础上导入3奈米制程,而此次更提到要基于GAA基础,在2023年时要导入第二代的3奈米制程,并于2025年导入2奈米制程。而这回也是首度表明2奈米的制程规划。

要知道,GAA制程技术能让芯片中的电晶体更小、更快,也更省电。而截至目前为止,台积电所使用的FinFET(鳍式场效电晶体),仍然是当前最新的电晶体技术。以三星为例,该公司于2012年时,在14奈米制程导入该项技术。

但FinFET在到达7奈米、5奈米、4奈米等细微制程门槛时,就接连遇上瓶颈,该构造在4奈米以下的制程当中,已无法再降低作业电压,而解决办法就是GAA技术。

三星在GAA技术研发上,进一步发展出独自的MBC FET(Multi Bridge Channel Field Effect Transistor) 技术。该公司表示,采用MBC FET构造的3奈米制程,比起以往FinFET技术的5奈米制程,在性能上提升30%、电力消耗减少50%、面积缩小35%。

不但是如此,三星也在此次论坛上公布17奈米的FinFET新制程。按照三星相关人士的说法,新制程和过去相比,在性能上提升39%、电力效率提升49%、面积缩小43%。

台积电与三星长年来,在芯片制程的竞争至今都尚未结束。Business Korea日前指出,台积电在专利数申请上再次超越三星,而台积电总裁魏哲家也暗示,公司3奈米量产首年较5奈米将有更多新品设计定案,也会配合客户在明年下半年量产。

台积电此前消息称,公司将在2奈米制程时,才会选择引进GAA技术,3奈米制程将维持FinFET架构,将重点放在2奈米以外节点,以及3D电晶体、新记忆体以及Low-R Interconnect等领域,为各项技术平台创造发展基础,并且加强FAB 12的研发N3、N2甚至更高级的先进制程节点。

美国商务部日前传出消息,要求台积电、三星、SK海力士与英特尔等芯片制造商,在11月8日提供客户名单、库存以及未来生产计划等商业机密。台积电对此回应,若有需要协助的地方,会向台湾当局反应,并且证实台当局持续给予关注。韩国产业通商资源部部长吕翰九指出,他深知南韩业者的担忧情绪,将向美方持续会谈,反应韩方看法,尽可能降低伤害。

而根据韩国媒体Business Korea所指,韩国企业担忧美国此举恐怕将造成合约取消、产品价格波动,以及美国政府将揭露他们的机密资料。报道透露,美国政府要求的讯息包括制造的芯片种类、各产品每月销售额、客户名册、库存数据以及供货不足的对策。三星电子与SK海力士不愿透露与客户与合约有关的资料,因为这些机密显示他们及其客户的商业策略,可能导致合约取消。再者,库存与产能数据的披露可能严重冲击价格谈判与市场价格。

尽管美国政府承诺不会公开资料,但相关公司透露,这些资料根本无法提供分享,就一名韩国当地业者说:“归根结底,美国政府企图透过施压非美国半导体公司,协助本国企业成长”。他也呼吁,个别企业无法违抗美国政府,南韩政府必须与业者共同努力,以尽可能降低损害。

吕翰九则向市场发表声明:“韩国与美国政府正增加供应链议题的对话。”这也就意味着,韩国政府可以协助业者应对该议题。



关键词: 三星 2nm

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